型号 | IRF9910 |
厂商 | International Rectifier |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
IRF9910 PDF | ![]() |
代理商 | IRF9910 |
标准包装 | 95 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A,12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13.4 毫欧 @ 10A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.55V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 900pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
其它名称 | *IRF9910 |